Ноутбуки ведущих производителей
РусМТ – ноутбуки ведущих производителей
Ноутбуки
  Курс (нал.) 1$ 62.00

Безнал 1$ 64.00

Войти в корзину
Товаров: 0
Сумма: 0 руб
(495) 080-12-33 33455772
995423
О фирме Способы оплаты Доставка ноутбуков Ноутбуки в кредит Наши акции Гарантийный отдел Trade-in Выбери свой стиль

RoveBook

Ноутбуки Asus

Ноутбуки Acer

Ноутбуки Fujitsu-Siemens

Ноутбуки Toshiba

Ноутбуки Sony

DELL

LG

IRu

Bliss

Подбери себе ноутбук

Аксессуары

Комплектующие

Компьютеры

Hewlett Packard

MP3 плейеры

Цифровые фотоаппараты

КПК, коммуникаторы

 

Samsung обвинили в краже патентов на технологию FinFET транзисторов

 

Samsung обвинили в краже патентов на технологию FinFET транзисторов

В конце прошлой недели, как сообщает информагентство Bloomberg, суд присяжных вынес против компании обвинительный приговор, обязав заплатить истцу $400 млн. С декабря 2016 года в Федеральном суде Далласа, штат Техас, шло рассмотрение дела о незаконном использовании компанией Samsung Electronics патентов на технологию транзисторов с вертикальными затворами FinFET. В Samsung считают приговор несправедливым и будут подавать апелляцию.

Со слов KAIST, компания Samsung работала с учёными учреждения над технологией FinFET и воспользовалась плодами трудов без лицензирования. Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого южнокорейского института Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST). Более того, Samsung якобы не интересовалась FinFET до того момента, как компания Intel объявила о завершении аналогичных изысканий и о запуске собственной программы лицензирования FinFET.

Но в компании подвергли сомнению утверждение о краже патентов и вообще усомнились в правомочности патентов института на данную технологию. В Samsung не отрицают, что над технологией FinFET работали вместе с KAIST. Технологию FinFET стали серьёзно рассматривать в качестве альтернативы планарным транзисторам к началу 2000 года. Надо сказать, что в этом что-то есть. Этими структурами интересовались все производители чипов, включая Samsung. Через два года началась фаза опытного производства структур и только через 10 лет — в 2012 году — компания Intel приступила к коммерческому выпуску 22-нм процессоров с использованием FinFET транзисторов. Посмотрим, что произойдёт с апелляцией Samsung, хотя решение по ней также может затянуться на годы. Вряд ли у кого-то есть условно говоря блокирующий пакет патентов.

В конце прошлой недели, как сообщает информагентство Bloomberg, суд присяжных вынес против компании обвинительный приговор, обязав заплатить истцу $400 млн. С декабря 2016 года в Федеральном суде Далласа, штат Техас, шло рассмотрение дела о незаконном использовании компанией Samsung Electronics патентов на технологию транзисторов с вертикальными затворами FinFET. В Samsung считают приговор несправедливым и будут подавать апелляцию.

Но в компании подвергли сомнению утверждение о краже патентов и вообще усомнились в правомочности патентов института на данную технологию. В Samsung не отрицают, что над технологией FinFET работали вместе с KAIST. Технологию FinFET стали серьёзно рассматривать в качестве альтернативы планарным транзисторам к началу 2000 года. Надо сказать, что в этом что-то есть. Этими структурами интересовались все производители чипов, включая Samsung. Через два года началась фаза опытного производства структур и только через 10 лет — в 2012 году — компания Intel приступила к коммерческому выпуску 22-нм процессоров с использованием FinFET транзисторов. Посмотрим, что произойдёт с апелляцией Samsung, хотя решение по ней также может затянуться на годы. Вряд ли у кого-то есть условно говоря блокирующий пакет патентов.

Со слов KAIST, компания Samsung работала с учёными учреждения над технологией FinFET и воспользовалась плодами трудов без лицензирования. Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого южнокорейского института Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST). Более того, Samsung якобы не интересовалась FinFET до того момента, как компания Intel объявила о завершении аналогичных изысканий и о запуске собственной программы лицензирования FinFET.

Дата публикации: 20-06-2018

Ещё новости


  30.10.2022  Практически детективная история с JAC JS4. Кроссоверы продают в России, но официально об этом ничего не говорится

В четверг компания официально анонсировала мероприятие, но уже в пятницу, за несколько часов до анонса, из Сети удалили ссылки на прямую трансляцию. Практически детективная история случилась с кроссовером...

  27.08.2022  Как очистить электрический чайник от накипи

  27.08.2022  Как заснуть в поезде: полезные идеи от покупки билета до списка вещей

Тем не менее, остаётся довольно большой набор других приёмов. В поезде недоступны самые эффективные техники засыпания, такие, как АСМР или релаксационная музыка. Пробуя их в разных сочетаниях, можно подобрать...

  27.08.2022  Проект Debian начал общее голосование по вопросу поставки проприетарных прошивок

До 2 сентября продлится фаза обсуждения выставленных на голосование пунктов, после чего начнётся сбор голосов. Проект Debian объявил о проведении общего голосования (GR, general resolution) разработчиков...

  27.08.2022  Nintendo тоже обещает не поднимать цены на консоли Switch

Несмотря на то, что финальную цену определяют сами магазины, у Nintendo нет планов повышать цены на своё оборудование», — отметили в компании. »Хоть мы и не можем комментировать стратегию образования цен,...



Все новости
 
 

Дисконтная карта

Если общая сумма ваших покупок в нашем магазине превысит 1000$, вы станете счастливым обладателем дисконтной карты RusMT - Countdown.

По дисконтной карте предоставляется скидка на портативные компьютеры в размере 2%.

Дисконтная карта не является именной, ею могут воспользоваться ваши друзья, знакомые, коллеги по работе.

Дисконтная карта позволяет пользоваться скидками во всех предприятиях торговли, входящих в дисконтную систему Countdown по всему миру.

© 2003-2024, РусМТ: интернет магазин ноутбуков.
Все права защищены


Телефон: (495) 080-12-33
Заказ on-line: ICQ1 ICQ33455772
Заказ on-line: ICQ2 ICQ995423