Ноутбуки ведущих производителей
РусМТ – ноутбуки ведущих производителей
Ноутбуки
  Курс (нал.) 1$ 62.00

Безнал 1$ 64.00

Войти в корзину
Товаров: 0
Сумма: 0 руб
(495) 080-12-33 33455772
995423
О фирме Способы оплаты Доставка ноутбуков Ноутбуки в кредит Наши акции Гарантийный отдел Trade-in Выбери свой стиль

RoveBook

Ноутбуки Asus

Ноутбуки Acer

Ноутбуки Fujitsu-Siemens

Ноутбуки Toshiba

Ноутбуки Sony

DELL

LG

IRu

Bliss

Подбери себе ноутбук

Аксессуары

Комплектующие

Компьютеры

Hewlett Packard

MP3 плейеры

Цифровые фотоаппараты

КПК, коммуникаторы

 

Samsung начала выпуск 3D NAND с более чем 90 слоями

 

Samsung начала выпуск 3D NAND с более чем 90 слоями

При этом лидером по технологичности производства вот уже год остаётся компания SK Hynix, с конвейеров которой сходит 72-слойная память. Как известно, сегодня набирает обороты производство 64-слойной и 72-слойной флеш-памяти 3D NAND. «Засверлить» кристалл на всю глубину 64 или 72 слоёв — это большая проблема и, к тому же, эта процедура значительно увеличивает время обработки каждой пластины. Следует уточнить, что 64-слойная и 72-слойная память выпускается, скажем так, в два приёма, поскольку каждая из них состоит из двух соединённых в стек (друг на друге) кристаллов с меньшим количеством слоёв. Но мы забегаем вперёд. Впрочем, производители уже выпускают монолитные 64-слойные кристаллы и, очевидно, это станет распространённым явлением при производстве 128-слойных микросхем 3D NAND. Пока же важно понять, что память из двух состыкованных кристаллов 3D NAND — это норма.

Официальным пресс-релизом Samsung сообщила, что начала массовое производство памяти V-NAND пятого поколения с более чем 90 слоями (V-NAND — это фирменное обозначение 3D NAND Samsung). Вчера рекорд по числу реализованных в одной микросхеме 3D NAND слоёв вернулся к компании Samsung. Компания Samsung, как видим, не смогла выйти на цифру 96 и даже не раскрывает точного числа слоёв в памяти нового поколения. Данное поколение памяти ожидалось в производстве в виде 96-слойных микросхем, для чего производителю достаточно было состыковать два 48-слойных кристалла 3D NAND. В этом месте происходит высокотемпературная обработка кристаллов уже после их полного изготовления, что, вероятно, ведёт к выходу ячеек из строя. Можно предположить, что в процессе сопряжения двух кристаллов 3D NAND слоями в зоне стыковки пришлось пожертвовать.

С учётом 90+ слоёв площадь кристалла будет достаточно маленькая, что увеличит выход продукции с каждой пластины. Ёмкость новинок равна скромному на сегодняшний день значению 256 Гбит в виде набора из TLC ячеек (запись трёх бит данных в каждую ячейку). С учётом малой ёмкости новых чипов это не приведёт к снижению стоимости хранения данных в пересчёте на бит. С другой стороны, выход с каждой пластины, грубо говоря, надо делить на два, ведь в конечном итоге в продукцию попадут составные чипы. Утверждается, что для выпуска V-NAND пятого поколения используются улучшенные технологии по внесению примесей (депонированию). Компания Samsung заявляет об экономии в другом. Проще говоря, выпуск продукции увеличился примерно на треть по сравнению с производством 64-слойных микросхем. Доработанные технологии позволили увеличить продуктивность производства на 30%.

Микросхемы Samsung V-NAND пятого поколения первыми получили новейший интерфейс Toggle DDR 4.0 с пропускной способностью на 40% больше, чем в случае 64-слойных чипов (до 1,4 Гбит/с). Идём дальше. Поскольку при этом питание чипов было снижено с 1,8 В до 1,2 В, то потребление осталось на прежнем уровне. Очевидным образом это ускорит обмен с накопителями на 90+ слойной памяти. Скорость чтения также увеличилась — до 50 мкс. Скорость записи в ячейку увеличилась на 30% — время на эту операцию снизилось до 500 мкс. Это не просто компактность — это уменьшение длин каналов и проводников, что положительно сказалось на производительности чипов. Отдельно компания заявляет об уменьшении толщины каждого слоя на 20%. В ближайшем будущем, добавляет Samsung, в пятом поколении памяти V-NAND будут представлены 1-Тбит микросхемы и микросхемы с записью четырёх бит в ячейку.

При этом лидером по технологичности производства вот уже год остаётся компания SK Hynix, с конвейеров которой сходит 72-слойная память. Как известно, сегодня набирает обороты производство 64-слойной и 72-слойной флеш-памяти 3D NAND. «Засверлить» кристалл на всю глубину 64 или 72 слоёв — это большая проблема и, к тому же, эта процедура значительно увеличивает время обработки каждой пластины. Следует уточнить, что 64-слойная и 72-слойная память выпускается, скажем так, в два приёма, поскольку каждая из них состоит из двух соединённых в стек (друг на друге) кристаллов с меньшим количеством слоёв. Но мы забегаем вперёд. Впрочем, производители уже выпускают монолитные 64-слойные кристаллы и, очевидно, это станет распространённым явлением при производстве 128-слойных микросхем 3D NAND. Пока же важно понять, что память из двух состыкованных кристаллов 3D NAND — это норма.

С учётом 90+ слоёв площадь кристалла будет достаточно маленькая, что увеличит выход продукции с каждой пластины. Ёмкость новинок равна скромному на сегодняшний день значению 256 Гбит в виде набора из TLC ячеек (запись трёх бит данных в каждую ячейку). С учётом малой ёмкости новых чипов это не приведёт к снижению стоимости хранения данных в пересчёте на бит. С другой стороны, выход с каждой пластины, грубо говоря, надо делить на два, ведь в конечном итоге в продукцию попадут составные чипы. Утверждается, что для выпуска V-NAND пятого поколения используются улучшенные технологии по внесению примесей (депонированию). Компания Samsung заявляет об экономии в другом. Проще говоря, выпуск продукции увеличился примерно на треть по сравнению с производством 64-слойных микросхем. Доработанные технологии позволили увеличить продуктивность производства на 30%.

Официальным пресс-релизом Samsung сообщила, что начала массовое производство памяти V-NAND пятого поколения с более чем 90 слоями (V-NAND — это фирменное обозначение 3D NAND Samsung). Вчера рекорд по числу реализованных в одной микросхеме 3D NAND слоёв вернулся к компании Samsung. Компания Samsung, как видим, не смогла выйти на цифру 96 и даже не раскрывает точного числа слоёв в памяти нового поколения. Данное поколение памяти ожидалось в производстве в виде 96-слойных микросхем, для чего производителю достаточно было состыковать два 48-слойных кристалла 3D NAND. В этом месте происходит высокотемпературная обработка кристаллов уже после их полного изготовления, что, вероятно, ведёт к выходу ячеек из строя. Можно предположить, что в процессе сопряжения двух кристаллов 3D NAND слоями в зоне стыковки пришлось пожертвовать.

Микросхемы Samsung V-NAND пятого поколения первыми получили новейший интерфейс Toggle DDR 4.0 с пропускной способностью на 40% больше, чем в случае 64-слойных чипов (до 1,4 Гбит/с). Идём дальше. Поскольку при этом питание чипов было снижено с 1,8 В до 1,2 В, то потребление осталось на прежнем уровне. Очевидным образом это ускорит обмен с накопителями на 90+ слойной памяти. Скорость чтения также увеличилась — до 50 мкс. Скорость записи в ячейку увеличилась на 30% — время на эту операцию снизилось до 500 мкс. Это не просто компактность — это уменьшение длин каналов и проводников, что положительно сказалось на производительности чипов. Отдельно компания заявляет об уменьшении толщины каждого слоя на 20%. В ближайшем будущем, добавляет Samsung, в пятом поколении памяти V-NAND будут представлены 1-Тбит микросхемы и микросхемы с записью четырёх бит в ячейку.

Дата публикации: 11-07-2018

Ещё новости


  19.07.2018  NZXT анонсировала серию супероснащенных блоков питания E Series с DSP

Как сообщается в пресс-релизе, данные модели создавались в партнерстве с Seasonic и предложат пользователям возможность в реальном времени контролировать и мониторить питание новинок. Компания NZXT анонсировала...

  18.07.2018  Второй сегодняшний анонс Huawei

И вторая новинка не менее важна. Сегодня, как оказалось, компанией Huawei был сделан не один, а фактически два анонса. В ней дебютировал рассмотренный Ро (Ro) на страницах ресурса gsmarena.com новый чипсет...

  18.07.2018  Apple передумала признавать MacBook Pro 2012 устаревшим

Обратиться за ремонтом этих моделей к авторизованному сервисному центру нельзя будет после 31 декабря 2018 года. Вместо ранее названной даты, 30 июня 2018 года, MacBook Pro 2012 года выпуска будут сняты...

  18.07.2018  Расходы на роботов и дронов в этом году приблизятся к 100 млрд доллпров, а в 2022 году превысят 200 млрд долларов

Это возможно при условии среднегодового роста 19,6% в период с 2017 по 2022 год. Аналитики IDC прогнозируют, что мировые затраты на решения в области робототехники и беспилотных летательных аппаратов достигнут...

  19.07.2018  Samsung выпустит гибкий смартфон в 2019 году

Корейцы явно уверены в своём смартфоне, поэтому дали ему кодовое название Winner (прим. Источники Wall Street Journal утверждают, что новинка увидит свет уже в начале 2019 года. Победитель). Это, по сути,...



Все новости
 
 
© 2003-2018, РусМТ: интернет магазин ноутбуков.
Все права защищены


Телефон: (495) 080-12-33
Заказ on-line: ICQ1 ICQ33455772
Заказ on-line: ICQ2 ICQ995423